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美高森美和Analog Devices公司推出驅(qū)動器參考設計解決方案

分類:電源 發(fā)布:2019-03-20 10:47:17 瀏覽:399次 Tag:

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術(shù)方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 和全球領先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅(SiC)驅(qū)動器參考設計解決方案,其基礎為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動器參考設計提供用戶友好的設計指南,并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時間,也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。


新的參考設計為客戶提供高度隔離的碳化硅MOSFET雙柵極驅(qū)動開關,以便通過多個拓撲來評估碳化硅MOSFET。這包括為支持同步死區(qū)時間保護的半橋開關和無保護異步信號傳輸而優(yōu)化的模式。通過配置,它也可以提供并行驅(qū)動以滿足研究非鉗位感應開關(UIS) 或雙脈沖測試的要求。該參考設計專為美高森美的碳化硅MOSFET分立器件和模塊而開發(fā),是用于評估其SiC器件產(chǎn)品組合的工程工具。其電路板支持修改柵極電阻值,以容納大部分美高森美分立器件和模塊。


美高森美的戰(zhàn)略營銷經(jīng)理Jason Chiang說:“雙碳化硅MOSFET驅(qū)動器參考設計不僅使美高森美的客戶能夠加快產(chǎn)品開發(fā)工作,它也可以配合我們的下一代碳化硅MOSFET的推出,以確保最終用戶的順利過渡。重視功率電子器件的整體設計的客戶,可利用我們的新型碳化硅驅(qū)動器解決方案為其設計選擇最佳的驅(qū)動器和元件,并能夠根據(jù)其特定碳化硅MOSFET需求進行擴展?!?/p>

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雙碳化硅MOSFET驅(qū)動器參考設計非常適合各種終端市場和應用,包括航空航天(致動、空調(diào)和配電)、汽車(混合動力/電動汽車傳動系統(tǒng)、電動汽車電池充電器、直流-直流變換器)、國防(電源和高功率馬達驅(qū)動)、工業(yè)(光伏逆變器、馬達驅(qū)動器、焊接、不間斷電源、開關模式電源、感應加熱和石油鉆探)以及醫(yī)療(MRI和X射線電源)。


Analog Devices公司與美高森美展開合作,是組成加速生態(tài)系統(tǒng)的一部分,目標是為最終用戶縮短投向市場的時間,以及加快生態(tài)系統(tǒng)參與者獲得收益。美高森美的加速生態(tài)系統(tǒng)匯集了領先的硅、知識產(chǎn)權(quán)(IP)、系統(tǒng)、軟件和設計專家,為最終客戶提供經(jīng)過驗證的電路板和系統(tǒng)級解決方案。


碳化硅產(chǎn)品具備多種優(yōu)勢,包括更高的系統(tǒng)效率,在相同的物理尺寸下將功率輸出提高了25至50%,以及在更高的開關頻率下實現(xiàn)高于絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)的效率,減小了系統(tǒng)尺寸和重量,增強了過溫時的運行穩(wěn)定性(+175℃)并顯著降低了冷卻成本。


據(jù)市場調(diào)研公司YoleDéveloppement的估計,碳化硅功率器件市場份額將于2021年超過5.5億美元,其中,2015至2021年的復合年增長率(CAGR)為19%。該公司也描述了碳化硅的優(yōu)勢如何影響新產(chǎn)品的開發(fā)和碳化硅技術(shù)。憑借動態(tài)性能和熱性能優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率MOSFET的碳化硅MOSFET產(chǎn)品及其他優(yōu)勢,美高森美為配合這些趨勢做好了充分準備。通過將Analog Device公司的ADuM4135隔離碳化硅驅(qū)動器解決方案與美高森美的MSCSICMDD/REF1碳化硅MOSFET驅(qū)動程序參考設計相結(jié)合,可進一步增強美高森美滿足客戶產(chǎn)品開發(fā)需求的能力。


Analog Devices公司的隔離柵極驅(qū)動器具備DESAT和眾多其他保護功能,可提供強大的柵極驅(qū)動能力(6A)以及可靠的電氣隔離,這對在高壓功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)長使用壽命和安全操作至關重要。Analog Devices公司的隔離柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合為設計人員提供了優(yōu)于采用光電耦合元件或脈沖變壓器設計的性能與可靠性。借助Analog Devices公司經(jīng)過驗證的iCoupler?技術(shù),隔離柵極驅(qū)動器系列為支持寬禁帶器件(尤其是碳化硅MOSFETS)的高電壓和高開關速度應用提供了許多關鍵優(yōu)勢。這包括不足50 ns的出色傳播延遲以及小于5ns的通道間匹配,高于100KV/us的共模瞬變免疫能力(CMTI),以及在單個包裝中支持高達1500V DC的使用期工作電壓?! ?/p>


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包括評估板的雙碳化硅SiC驅(qū)動器參考設計(MSCSICMDD/REF1)現(xiàn)已可供訂購。


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